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非易失性存储器和易失性存储器有什么全部详细资料对比

来源:未知 编辑:admin 时间:2019-05-31

  非易失性存储器技术是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。非易失性存储器技术得到了快速发展,非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。

  在很多的存储系统的写操作程序中,内存作为控制器和硬盘之间的重要桥梁,提供更快速的性能,但是如果发生突然间断电的情况,如何保护内存中的数据不丢失,这是存储系统中老生常谈的议题。易失性存储器就是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候,里面的数据会丢失,就像内存。非易失性存储器在上面的情况下数据不会丢失,像硬盘等外存。RRAM是一种非易失性存储器,也称为忆阻器,为制造非易失性存储设备,模拟人类大脑处理信息的方式铺平了道路。RRAM由两个金属电极夹一个薄介电层组成,在正常状态下它是绝缘体,它以纳米器件加工技术为基础是一种有记忆功能的非线性电阻。每个忆阻器有一个底部的导线与器件的一边接触,一个顶部的导线与另一边接触。

  忆阻器是一个由两个金属电极夹着的氧化钦层构成的双端,双层交叉开关结构的半导体。其中一层氧化钦掺杂了氧空位,成为一个半导体;相邻的一层不掺杂任何东西,让其保持绝缘体的自然属性,通过检测交叉开关两端电极的阻性,就能判断RRAM的“开”或者“关”状态。

  忆阻器除了其独特的“记忆”功能外,有两大特性使其被业界广泛看好。一是其具有更短的存储访问时间,更快的读写速度,其整合了闪存和DRAM的部分特性;二是其存储单元小和制造工业可以升级,忆阻器的尺寸可以做到几个纳米,很有可能将微电子技术的发展带人到下一个十年,而且其可以与CMOS技术相兼容等优势,是下一代非易失性存储技术的发展趋势。

  它在任何时候都可以读写,RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存)。不过,当电源关闭时RAM不能保留数据,如果需要保存数据,就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘)。正因为如此,有时也将RAM称作“可变存储器”。RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM)两大类。DRAM由于具有较低的单位容量价格,所以被大量的采用作为系统的主记忆。

  不同应用在不同的容性负载下需要不同的工作频率,这项要求与芯片组的性能以及电路板布局和复杂性紧密相关。例如,高频工作环境通常对电性能的优化要求严格,设计工程师需要考虑整个电路板上的电噪声,以降低线路的寄生电容。在这种情况下,降低存储器输出驱动器的强度更加受欢迎。此外,还必须根据工作频率优化指令执行速度。有时候,要想在发送命令后取得适合的高效的吞吐量,就必须减少空时钟周期次数。

  在应用电路板测试阶段,为了正确地激励存储器、查看存储器的响应,微控制器需要全套的命令和功能。这项操作灵活性测试通常用于检测全部系统组件,以确保产品在生命周期内的功能。相反,标准的客户最终应用只使用一个精简的指令集。例如,在使用SPI闪存时,最终应用通常使用读指令(正常、快速和/或4位I/O输入输出),把启动代码下载到RAM存储器。

  设计人员应该优化非易失性存储器,以缩减系统上电期间的代码读取和下载时间。在新的先进的平台上,如车用电子、计算机光驱或蓝牙模块,SPI闪存可能用于直接从非易失性存储器读取部分系统固件,以缩短系统固件下载到高速易失性存储器的过程。当然,目前出现的最新应用对存储器的灵活性要求更加严格。

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  和特点 160 MHz,ADSP-219x DSP内核 8通道、14位、20 MSPS ADC,内置片上电压基准 4K字程序存储器RAM 4K字数据存储器RAM 外部存储器接口(达1 M字) 带双辅助PWM输出的三相PWM发生单元 增量编码器接口单元 3个32位通用定时器 16位通用标识I/O端口 同步串行(SPORT)和SPI通信端口 产品详情 ADSP-21990是ADI公司的首款高性能混合信号DSP产品。ADSP-21990集成了160 MHz、16位的ADSP-219x DSP内核和一个8通道、14位、20 MSPS的ADC(内置双采样保持放大器可实现同步采样)。该产品还集成了另外一些混合信号电路,包括一个精密片上电压基准以及上电复位(POR)电路。而所提供的各种控制外设可实现针对嵌入式控制和信号处理应用的单芯片解决方案。 方框图...

  和特点 160 MHz,ADSP-219x DSP内核 8通道、14位、20 MSPS ADC,内置片上电压基准 32K字程序存储器RAM 8K字数据存储器RAM 外部存储器接口(达1 M字) 带双辅助PWM输出的三相PWM发生单元 增量编码器接口单元 3个32位通用定时器 16位通用标识I/O端口 同步串行(SPORT)和SPI通信端口 产品详情 ADSP-21991相比ADSP-21990在存储器集成度上有所提高,从而扩展了ADSP-2199x混合信号DSP产品系列。ADSP-21991集成了160 MHz、16位的ADSP-219x DSP内核和一个8通道、14位、20 MSPS的ADC(内置双采样保持放大器可实现同步采样)。该产品还集成了另外一些混合信号电路,包括一个精密片上电压基准以及上电复位(POR)电路。而所提供的各种控制外设可实现针对嵌入式控制和信号处理应用的单芯片解决方案。 方框图...

  和特点 多通道、12位、1 MSPS ADC多达16个ADC通道 全差分模式和单端模式 模拟输入范围:0 V至 VREF 12位电压输出DAC最多提供4路DAC输出 片内基准电压源 片内温度传感器(±3°C) 电压比较器 16位/32位RISC架构ARM7TDMI内核 JTAG端口支持代码下载和调试 修正的片内振荡器(±3%) 外部时钟晶体 可达44 MHz的外部时钟源 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADuC7124/ADuC7126均为完全集成的1 MSPS、12位数据采集系统,在单芯片内集成高性能多通道ADC、16位/32位MCU和Flash/EE存储器。ADC具有多达12路单端输入。另外还有4个ADC输入通道也可以和4个DAC的输出引脚复用。ADC可以在单端模式或差分输入模式下工作,ADC输入电压范围为0 V至VREF。低漂移带隙基准电压源、温度传感器和电压比较器完善了ADC的外设设置。通过编程可以将DAC输出范围设置为三种电压范围之一。DAC输出具有一个增强特性,能够在看门狗或软件复位时序中保持其输出电压。这些器件通过一个片内振荡器和锁相环(PLL)产生41.78MHz的内部高频时钟信号。该时钟信号通过一个可编程时钟分频器进行中继,在其中产生M...

  和特点 160 MHz,ADSP-219x DSP内核 8通道、14位、20 MSPS ADC,内置片上电压基准 集成控制器区域网络(CAN)接口 外部存储器接口(达1 M字) 带双辅助PWM输出的三相PWM发生单元 32K字程序存储器RAM,16K字数据存储器RAM 三相PWM发生单元 增量编码器接口单元 3个32位通用定时器 16位通用标识I/O端口 同步串行(SPORT)和SPI通信端口 CROSSCORE™工具支持产品详情 ADSP-21992进一步扩展了ADSP-2199x混合信号DSP产品系列的性能,可提供32K字程序存储器RAM和16K字数据存储器RAM。此外,ADSP-21992还可提供片上CAN通信端口,支持全CAN 2.0B,内置可配置邮箱和单个验收滤波器。集成CAN接口可实现将嵌入式控制和信号处理以及现场总线通信接口整合在一起的单芯片方案。 方框图...

  和特点 符合汽车应用要求 高性能 SigmaDSP 内核支持低延迟和音频应用 主动噪声消除 (ANC) 回波消除器和降噪 (ECNR) 环绕立体声算法 配备了专用图形集成开发环境 (IDE) SigmaStudio,适用于开发自定义信号流 由预定义构建模块组成的全面工具箱 使用业经验证的解决方案,可缩短设计时间 直观的系统设计 294.912 MHz、32 位 SigmaDSP 内核,电压 1.2 V 24 千字程序内存 80 千字参数/数据 RAM 48 kHz 时每样本 6144 个 SIMD 指令 48 kHz 时数字音频延迟池 1600 ms 音频 I/O 和路由 4 个串行输入端口,4 个串行输出端口 48 通道、32 位数字 I/O,采样率高达 192 kHz I2S、左对齐和右对齐以及串行数据引脚上最高达 16 通道 TDM 格式的灵活配置 8 立体声 ASRC,比率介于 1:8 到 7.75:1 之间,动态范围是 139 dB 192 kHz 时立体声 S/PDIF 输入和输出 4 个 PDM 麦克风输入通道 多通道、字节寻址 TDM 串行端口 用于从晶体生成主时钟的时钟振荡器 整数 PLL 和灵活的时钟发生器 集成裸片温度传感器 I2C 和 SPI 控制接口(包括主从) 独立操作 从串行 EEPROM 自引导 6 通道、10 位 SAR 辅助控制...

  和特点 通过汽车应用认证完全可编程音频DSP,可改善声音处理性能可利用专有图形编程工具SigmaStudio开发自定义信号流程 最高294.912 MHz、32位SigmaDSP内核(1.2 V) 高达24 k字程序存储器 高达80 k字参数/数据RAM 48 kHz时每样本最多6144个SIMD指令48 kHz时数字音频延迟池最高1600 ms 音频I/O和路由 4个串行输入端口,4个串行输出端口 48通道、32位数字I/O,采样速率高达192 kHz 用于TDM、I2S、左对齐和右对齐格式、以及PCM的灵活配置 8个立体声ASRC,比率范围从1:8到7.75:1和139 dB动态范围 立体声S/PDIF输入和输出(192 kHz时) 4个PDM麦克风输入通道 多通道、字节可寻址TDM串行端口 时钟振荡器可从晶振产生主时钟 整数PLL和灵活的时钟发生器 集成裸片温度传感器I2C和SPI控制接口(从机和主机) 独立操作 从串行EEPROM自引导 8通道、10位SAR辅助控制ADC 26个多用途引脚用于数字控制和输出 片内调节器用于从3.3 V电源产生1.2 V 88引脚、12 mm × 12 mm LFCSP封装,具有5.3 mm裸露焊盘 温度范围:-40°C至+105°C 产品详情 ADAU1463/ADAU1467 分别是获得汽车认证的音...

  和特点 多通道、12位、1 MSPS ADC多达16个ADC通道 全差分模式和单端模式 模拟输入范围:0 V至VREF 12位电压输出DAC最多提供4路DAC输出 片内基准电压源 片内温度传感器(±3°C) 电压比较器 16位/32位RISC架构ARM7TDMI内核 JTAG 端口支持代码下载和调试 修正的片内振荡器(±3%) 外部时钟晶体 可达44 MHz的外部时钟源 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情 ADuC7124是一款完全集成的1 MSPS、12位数据采集系统,在单芯片内集成高性能多通道ADC、16位/32位MCU和Flash/EE存储器。ADC具有多达12路单端输入。另外还有2路输入,但它们与2个DAC输出引脚复用。ADC可以在单端或差分输入模式工作。ADC输入电压范围为0 V至VREF。低漂移带隙基准电压源、温度传感器和电压比较器完善了ADC的外设设置。通过编程可以将DAC输出范围设置为三种电压范围之一。DAC输出具有一个增强特性,能够在看门狗或软件复位时序中保存其输出电压。该器件通过一个片内振荡器和锁相环(PLL)产生41.78MHz的内部高频时钟信号。该时钟信号通过一个可编程时钟分频器进行中继,在其中产生MCU内核时钟工作频...

  和特点 模拟输入/输出 - 更多信息请参考数据手册。 微控制器16位/32位RISC架构、ARM7TDMI内核JTAG端口支持代码下载和调试多时钟选项 存储器32 kB (16 kB × 16) Flash/EE 存储器4 kB (1 kB × 32) SRAM 工具在线下载、基于JTAG的调试低成本QuickStart开发系统 通信接口 SPI 接口(5 Mbps)4字节Rx 和 Tx FIFOs UART 串行I/O 和I2C (主/从) 欲了解更多信息,请参考数据手册 产品详情 ADuC7060/ADuC7061均为完全集成的8 kSPS、24位数据采集系统,在单芯片上集成高性能多通道Σ-Δ型模数转换器(ADC)、16位/32位ARM7TDMI® MCU和Flash/EE存储器。ADC包括一个5通道主ADC和一个最多8通道辅助ADC,可在单端或差分输入模式下工作。片上提供一个单通道缓冲电压输出DAC,通过编程可将DAC输出范围设置为两种电压范围之一。这些器件通过一个片内振荡器和锁相环(PLL)产生最高达10.24 MHz的内部高频时钟信号。微控制器内核为ARM7TDMI,它是一个16位/32位RISC机器,峰值性能最高可达10 MIPS。片内集成有4 KB SRAM和32 KB非易失性Flash/EE存储器。ARM...

  和特点 4 通道 I2C 可调高效率降压型 DC/DC 转换器:2.5A、2.5A、1.5A、1.5A3 个 300mA LDO 稳压器 (有 2 个是可调的)具有 VTT 和 VTTR 基准的 DDR 电源解决方案具有系统复位功能的按钮 ON / OFF 控制独立的使能引脚搭接或 I2C 排序可编程自主型断电控制动态电压调节电源良好和复位功能可选的 2.25MHz 或 1.12MHz 开关频率始终保持运行的 25mA LDO 稳压器12μA 待机电流扁平 40 引线 引线裸露焊盘 LQFP 封装 产品详情 LTC®3676 是一款完整的电源管理解决方案,适合基于高级便携式应用处理器的系统。该器件包含 4 个用于内核、存储器、I/O 和片上系统 (SoC) 电源轨的同步降压型 DC/DC 转换器,以及 3 个用于低噪声模拟电源的 300mA LDO 稳压器。LTC3676-1 具有一个专为支持 DDR 终端和一个 VTTR 基准输出而配置的 ±1.5A 降压型稳压器。一个 I2C 串行端口用于控制稳压器使能、断电排序、输出电压电平、动态电压调节、操作模式和状态报告。稳压器启动的排序操作通过按期望的次序将其输出连接至使能引脚或通过 I2C 端口来完成。系统上电、断电和复位功能受控于按钮接口、...

  和特点 3A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 低输出纹波突发模式 (Burst Mode®) 操作:IQ = 70μA ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 高效率:达 95%低压差操作:100% 占空比停机电流:≤1μA可调开关频率:高达 4MHz可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作可编程软起动用于启动跟踪或外部基准的输入DDR 存储模式,IOUT = ±1.5A采用耐热性能增强型 20 引脚 (3mm x 4mm) QFN 和 TSSOP 封装 产品详情 LTC®3612 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 70μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在停机模式中电流降至零。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3612 非常适合于单节锂离子电池和固定低电压输入应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电型系统中的工作时间。该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3612 同步至一个频率高达 4MHz 的外部时...

  和特点 6A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 低输出纹波突发模式 (Burst Mode®) 操作:IQ = 75μA ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 高效率:达 95% 低压差操作:100% 占空比 SW 节点上的可编程转换速率降低了噪声和 EMI 可调开关频率:高达 4MHz 可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿 可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作 可编程软起动 用于启动跟踪或外部基准的输入 DDR 存储模式,IOUT = ±3A 采用耐热性能增强型 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC®3616 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 70μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在停机模式中降至零电流。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3616 非常适合于单节锂离子电池和固定低电压输入应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电型系统中的工作时间。 该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3616 同步至...

  和特点 4A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 低输出纹波突发模式 (Burst Mode®) 操作:IQ = 75μA ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 高效率:达 95%低压差操作:100% 占空比SW 节点上的可编程转换速率降低了噪声和 EMI可调开关频率:高达 4MHz可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作可编程软起动用于启动跟踪或外部基准的输入DDR 存储模式,IOUT = ±3A采用耐热性能增强型 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC®3614 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 75μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在停机模式中降至零电流。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3614 非常适合于单节锂离子电池和固定低电压输入应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电型系统中的工作时间。 该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3614 同步至一个频率高达 4M...

  和特点 ±6A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 ±10mV 输出电压准确度 专为低至 0.5V 的低输出电压而优化 高效率 用于 VTTR = VDDQIN • 0.5 的集成型缓冲器 停机电流:1μA 可调开关频率:高达 4MHz 任选的内部补偿 内部软起动 电源良好状态输出 输入过压保护 耐热性能增强型 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC®3617 是一款高效率、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。该器件的工作输入电压范围为 2.25V 至 5.5V,并提供了一个等于 0.5 • VDDQIN 的稳定输出电压,同时可供应和吸收高达 6A 的负载电流。内部放大器可提供一个等于 0.5·VDDQIN 的 VTTR 输出电压,并具有 ±10mA 的输出电流能力。此 IC 的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3617 同步至一个频率高达 4MHz 的外部时钟。LTC3617 中的强制连续模式操作可降低噪声及 RF 干扰。可调的外部补偿使得能够在一个很宽的负载和输出电容范围内优化瞬态响应。内部同步开关提升了效率,并免除了增设一个外部箝位二极管的需要,从而最大...

  和特点 高效率:达 94% 具 2 x 3A 输出电流能力的双路输出 低输出纹波突发模式 (Burst Mode®) 操作:IQ = 130μA 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 开关引脚上的可编程转换速率 低压差操作:100% 占空比 停机电流:≤1μA 可调开关频率:高达 4MHz 内部或外部补偿 可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作 可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿 通道之間的 0° / 90° / 180° (LTC3615) 或 140° / 180° 可選相移 固定内部和可编程外部软起动 准确的启动跟踪能力 DDR 存储模式的 IOUT = ±1.5A 采用 4mm x 4mm QFN-24 封装和 TSSOP-24 封装   产品详情 LTC®3615 / LTC3615-1 是一款双通道、3A、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。DC 电源电流仅为 130μA (在无负载时执行突发模式操作),并保持了输出电压,在停机模式中降至零电流。2.25V 至 5.5V 的输入电源范围使器件非常适合于单节锂离子电池应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电式系统中的工作时间。 该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz...

  和特点 VOUT低至 0.4V 用于 DDR 存储器终端的高功率开关稳压控制器 VOUT跟踪 1/2 of VIN或外部VREF 无需电流检测电阻器 低 VCC 电源:3V 至 8V 在整个温度范围内的最大占空比 91% 驱动全 N 沟道外部 MOSFET 高效率:达 95% 可编程固定频率操作:100kHz 至 500kHz 外部时钟同步操作 可编程软启动 低停机电流:10μA 过热保护 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装   产品详情 LTC®3831-1 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831-1 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831-1 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外,该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流,因而能够在无需使用电流检测电阻器的情况下提供一个可调电流限值。 LTC3831-1 可在输入电源电压低至 3V 的条件下运作,并具有一个 91% 的最大占空比。该器件包括一个固定频率 PWM 振荡器,用于实现低输出纹波操作。300kHz 的自由运行时钟频率可从外部进行调节,或利用一个外部信号进行同步处理 (同步范围为 100kHz 至高于 500kHz)。在停机模式...

  和特点 VOUT = 1/2 VIN (电源分离器) 可调和对称的吸收 / 供应电流限值 (高达 20A) ±0.65% 输出电压准确度 效率高达 97% 无需检测电阻器 超快的瞬态响应 线kHz) tON(MIN) ≤ 100ns 可在采用陶瓷输出电容器 COUT 时保持稳定 双路 N 沟道 MOSFET 同步驱动 电源良好输出电压监视器 宽 VCC 范围:4V 至 36V 高达 1.5MHz 的可调开关频率 输出过压保护 任选的短路停机定时器 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装 产品详情 LTC®3717 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构以提供非常低的占空比,并不需要使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 的变化进行补偿。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。输出电压在内部设定为 VREF 的一半,这可由用户设置。故障保护由一个输出过压比较器和任选的短路停机定时器提供。针对电源排序的软启动能力采用一个外部定时电容器来实现。稳压器电流限制水平是对称的并可由用户设置。宽电源范围允许器件在 4V 至 36V 的 VCC...

  和特点 用于 DDR 存储器终端的高功率开关稳压控制器 VOUT 跟踪 1/2 VIN 或外部 VREF 无需电流检测电阻器 低输入电源电压范围:3V 至 8V 在整个温度范围内的最大占空比 91% 驱动全 N 沟道外部 MOSFET 高效率:可达 95% 以上 可设置固定频率操作:100kHz 至 500kHz 外部时钟同步操作 可设置软起动 低停机电流:10μA 过热保护 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装  产品详情 LTC®3831 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外,该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流,因而能够在无需使用电流检测电阻器的情况下提供一个可调电流限值。 LTC3831 可在输入电源电压低至 3V 的条件下运作,并具有一个 91% 的最大占空比。它包括一个固定频率 PWM 振荡器,用于实现低输出纹波操作。200kHz 的自由运行时钟频率可从外部进行调节,或利用一个外部信号进行同步处理(同步范围为 100kHz 至 500kHz 以上)。在停机模式中,LTC3831 的电...

  和特点 无需电流检测电阻器 异相控制器减小了所需的输入电容 VOUT2 跟踪 1/2 VREF 对称的输出电流供应/吸收能力 (VOUT2) 扩频操作 (当被使能时) 宽 VIN 范围:2.75V 至 9.8V 恒定频率电流模式操作 0.6V±1.5% 电压基准 (VOUT1) 低压差操作:100% 占空比 用于频率锁定或调节的真正 PLL 内部软起动电路 电源良好输出电压监视器 输出过压保护 微功率停机模式:IQ = 9μA 纤巧型扁平(4mm x 4mm)QFN 封装和窄体 SSOP 封装 产品详情 LTC®3776 是一款面向 DDR/QDR 存储器终端应用的两相、双输出同步降压型开关稳压控制器。第二个控制器负责将其输出电压调节至 1/2 VREF,并提供了对称的输出电压供应和吸收能力。 无检测电阻器 (No RSENSE) 型恒定频率电流模式架构免除了增设检测电阻器的需要,并改善了效率。通过使两个控制器异相工作,最大限度地降低了由输入电容的 ESR 所引起的功耗和噪声。 开关频率可被设置为高达 750kHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器和电容器。对于那些对噪声敏感的应用,可以从外部对 LTC3776 的开关频率进行同步处理 (同步范围为 250kHz 至 850kHz),也可启用...

  和特点 非常低的 VIN(MIN):1.5V 超快的瞬态响应 真正的电流模式控制 用于 N 沟道 MOSFET 的 5V 驱动免除了 5V 辅助电源 无需检测电阻器 采用标准的 5V 逻辑电平 N 沟道 MOSFET VOUT(MIN):0.4V VOUT 跟踪 1/2 VIN 或外部 VREF 对称的供应和吸收输出电流限制 可调的开关频率 tON(MIN) 100ns 电源良好输出电压监视器 可编程软启动 输出过压保护 任选的短路停机定时器 小外形 24 引脚 SSOP 封装 产品详情 LTC®3718 是一款用于 DDR 和 QDR™ 存储器终端的高电流、高效率同步开关稳压控制器。该器件采用一个低至 1.5V 的输入工作,并提供一个等于 (0.5)VIN 的稳定输出电压。该控制器采用一种谷值电流控制架构以实现高工作频率和非常低的接通时间,而无需使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 及 VOUT 中的变化进行补偿。LTC3718 采用一对标准的 5V 逻辑电平 N 沟道外部 MOSFET,从而免除了增设昂贵 P 沟道或低门限器件的需要。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。故障保护由内部折返电流限制、一个输出过压比较器和任选的短路停机定时器提供。针...

  和特点 VOUT = 1/2 VREF 可调和对称的吸收 / 供应电流限值 (高达 20A) 真正的电流模式控制,可选择使用检测电阻器 VON 和 ION 引脚在输入和输出电压变化期间允许执行恒定频率操作 ±0.65% 输出电压准确度 效率高达 97% 超快的瞬态响应 2% 至 90% 的占空比 (在 200kHz) tON(MIN) ≤ 100ns 可在采用陶瓷输出电容器 COUT 时保持稳定 电源良好输出电压监视器 宽 VIN 范围:4V 至 36V 高达 1.5MHz 的可调开关频率 输出过压保护 任选的短路停机定时器 采用 5mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC®3717-1 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构,以在采用和未采用检测电阻器的情况下提供非常低的占空比。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 和 VOUT 中的变化进行补偿。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。输出电压在内部被设定为 VREF 的一半,这可由用户设置。故障保护由一个输出过压比较器和任选的短路停机定时器提供。针对电源排序的软启动能力采用一个外部定时电容器来实现。稳压器电流限制水平是对称的,并可由用户...

  和特点 稳定的 12V ±5% 输出电压无电感器电源电压范围:4.75V 至 5.5V有保证的 30mA 输出低功率:ICC = 500μA停机模式中的 ICC:0.5μA8 引脚 PDIP 封装或 SO-8 封装 产品详情 LTC®1262 是一款稳定的 12V、30mA 输出 DC/DC 转换器。该器件专为提供对字节宽闪速存储器进行编程所必需的 12V ±5% 输出而设计。输出将从低至 4.75V 的输入电压提供高达 30mA 电流,并未采用任何电感器。只需 4 个外部电容器即可构成一款尺寸极小的完整表面贴装型电路。TTL 兼容型停机引脚可以直接连接至一个微处理器,并把电源电流减小至低于 0.5μA。LTC1262 提供了改善的停机电流性能,且所需的外部组件少于同类竞争解决方案。LTC1262 采用 8 引脚 PDIP 封装或 SO-8 封装。应用12V 闪速存储器编程电源紧凑型 12V 运放电源电池供电型系统 方框图...

  和特点 有保证的 60mA 输出稳定的 12V ±5% 输出电压无电感器电源电压范围:4.75V 至 5.5V停机模式中的 ICC 为 0.5μA (典型值)低功率:ICC = 300μA8 引脚 SO 封装引出脚配置与 LTC1262 和 MAX662 相同 产品详情 LTC®1263 是一款稳定的 12V、60mA 输出 DC/DC 转换器。该器件可提供对双字节宽闪速存储器进行编程所必需的 12V ±5% 输出。输出将从低至 4.75V 的输入电压提供 60mA 电流,并未采用任何电感器。只需 4 个外部电容器即可构成一款尺寸极小的完整表面贴装型电路。输出可以短促地短接至地,并不会损坏器件。高电平有效的 TTL 兼容型停机引脚可以直接连接至一个微处理器。在停机模式中,电源电流通常降至 0.5μA。 LTC1263 采用 8 引脚 SO 封装。应用 12V 闪速存储器编程电源 紧凑型 12V 运放电源 电池供电型系统方框图...

  和特点 3.6V 至15V 输入电压范围每通道的输出电流为±3A效率高达 95%通道之间的 90°/180° 可选相移可调开关频率范围:500kHz 至 4MHzVTTR = VDDQ / 2 = VTT基准准确度为 ±1.6% 的 VTTR (在 0.75V)最佳 VOUT范围:0.6V 至 3V±10mA 缓冲输出负责提供 VREF 基准电压旨在实现超卓的电压和负载瞬态响应的电流模式操作外部时钟同步短路保护输入过压和过热保护电源良好状态输出采用 (4mm x 5mm) QFN-28 封装和耐热性能增强型 28 引脚 TSSOP 封装 产品详情 LTC®3634 是一款高效率、双通道、单片式、同步降压型稳压器,可为 DDR1、DDR2 和 DDR3 SDRAM 控制器提供电源及总线终端电压轨。该器件的工作输入电压范围为 3.6V 至 15V,从而使其适合于那些采用一个 5V 或 12V 输入的负载点电源应用以及各种电池供电型系统。VTT 稳定输出电压等于 VDDQIN • 0.5。一个能驱动 10mA 负载的片内缓冲器可提供一个也等于 VDDQIN • 0.5 的低噪声基准输出 (VTTR)。此 IC 的工作频率可利用一个外部电阻器在 500kHz 至 4MHz 的范围内进行设置和同步处理。两个通道能够 180°...

  和特点 DDR 电源、终端和基准高效率:达 94% 具 ±3A 输出电流能力的双通道输出 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 ±1% 输出电压准确度 VTT 输出电压低至 0.5V 停机电流:≤1μA VTTR = VDDQIN/2,VFB2 = VTTR 可调开关频率:高达 4MHz 内部补偿或外部补偿 通道之间的 0° / 90° / 180° 可选相移 内部或外部软起动用于 VDDQ,内部软起动用于 VTT 电源良好状态输出 扁平 4mm x 4mm QFN-24 封装和 TSSOP-24 封装产品详情 LTC®3618 是一款双通道、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。该器件提供了一款完整的 DDR 解决方案,具有一个 2.25V 至 5.5V 的输入电压范围。第一个降压型稳压器的输出提供了一个高准确度的 VDDQ 电源。一个缓冲基准可产生等于 50% VDDQIN 的 VTTR,并驱动高达 ±10mA 的负载。第二个稳压器可产生等于 VTTR 的 DDR 终端电压 (VTT)。在 1MHz 开关频率下,两个稳压器均能够提供 ±3A 的负载电流。此 IC 的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。在两个通道之间可以选择 0°、90°或 180°的相移,以最大限度地减小输...

  ABT16240A器件是16位缓冲器和线路驱动器,专门用于改善三态存储器地址驱动器,时钟驱动器的性能和密度,和面向总线的接收器和发射器。 这些器件可用作4个4位缓冲区,2个8位缓冲区或1个16位缓冲区。这些器件提供反相输出和对称低电平有效输出使能(OE \)输入。 为了确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ABT16240A的特点是可在-55C至125C的整个军用温度范围内工作。 SN74ABT16240A的工作温度范围为-40C至85C。 特性 Widebus和EPIC-IIB是德州仪器公司的商标。 德州仪器WidebusTM家庭成员 最先进的EPIC -IIBTMBiCMOS设计显着降低功耗 典型VOLP(输出接地反弹)< 1 V,VCC= 5 V,TA= 25C 分布式VCC和GND引脚配置最大限度地降低高速开关噪声 流通式架构优化PCB布局 高驱动输出(-32-mA IOH,64-mA IOL) ...

  TMP107-Q1数字输出温度传感器支持以菊花链方式总计连接32台设备。每个传感器具有唯一的5位地址,存储于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)中.TMP107-Q1能够以0.015625C的分辨率读取温度,在-20C至+ 70C温度范围内的精度达0.4C。在具有高精度要求的应用中,TMP107-Q1是负温度系数(NTC)和正温度系数(PTC)热敏电阻的理想替代产品。 存储于EEPROM中的5位唯一地址在自动地址分配操作期间确定,并且基于每个传感器相对于SMAART线主机的位置。该器件有多种工作模式可供选择,最大程度提高了自身灵活性,不仅可针对电池操作降低功耗,还能够为实时控制应用提供高更新率。 TMP107-Q1是各类工业,仪器仪表,通信和环境应用中扩展温度测量的理想选择.TMP107-Q1采用8引脚小外形尺寸集成电路( SOIC)封装,额定工作温度范围为-55C至+ 125C。 特性 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 温度1级:-40C至+ 125C的环境工作温度范围 器件人体放电模式...

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