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内存储器和外存储器的分类与区别

来源:未知 编辑:admin 时间:2019-05-31

  内存又称为内存储器,通常也泛称为主存储器,是计算机中的主要部件,它是相对于外存而言的。

  计算机中所有程序的运行都是在内存储器中进行的,因此内存储器的性能对计算机的影响非常大。

  内存储器(Memory)也被称为内存,其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据,以及与硬盘等外部存储器交换的数据。

  只要计算机在运行中,CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算,当运算完成后CPU再将结果传送出来,

  内存的运行也决定了计算机的稳定运行。 内存是由内存芯片、电路板金手指等部分组成的。

  T半导体存储器从使用功能上分,有随机存储器 (Random Access Memory,简称RAM),

  根据其保存数据的机理又可分为动态( Dynamic RAM)和静态(Static RAM)两大类。

  DRAM的特点是集成度高,主要用于大容量内存储器;SRAM的特点是存取速度快,主要用于高速缓冲存储器。

  不能由用户再写入新内容。原来存储的内容是采用掩膜技术由厂家一次性写入的,

  按照是否可以进行在线改写来划分,又分为不可在线改写内容的ROM,以及可在线改写内容的ROM。

  可在线改写内容的ROM包括电可擦除可编程ROM(EEPROM)和快擦除ROM(Flash ROM)。

  CMOS内存可以由集成到主板上的一个小电池供电,这种电池在计算机通电时还能自动充电。

  因为CMOS芯片可以持续获得电量,所以即使在关机后,他也能保存有关计算机系统配置的重要数据。

  外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器,此类储存器一般断电后仍然能保存数据

  PC机常见的外存储器有软盘存储器、硬盘存储器、光盘存储器等。磁盘有软磁盘和硬磁盘两种。光盘有只读型光盘CD-ROM、

  软盘:软磁盘使用柔软的聚酯材料制成原型底片,在两个表面涂有磁性材料。常用软盘直径为3.5英寸,

  U盘:U盘也被称为“闪盘”,可以通过计算机的USB口存储数据。与软盘相比,由于U盘的体积小、

  硬盘:硬磁盘是由涂有磁性材料额铝合金原盘组成的,每个硬盘都由若干个磁性圆盘组成。

  磁带存储器:磁带也被称为顺序存取存储器SAM。它存储容量很大,但查找速度很慢,一般仅用作数据后备存储。

  计算机系统使用的磁带机有3中类型:盘式磁带机、数据流磁带机及螺旋扫描磁带机。

  光盘存储器:光盘指的是利用光学方式进行信息存储的圆盘。它应用了光存储技术,

  从冯。诺依曼的存储程序工作原理及计算机的组成来说,计算机分为运算器、控制器、存储器和输入/输出设备,这里的存储器就是指内存,而硬盘属于输入/输出设备。

  CPU运算所需要的程序代码和数据来自于内存,内存中的东西则来自于硬盘,所以硬盘并不直接与CPU打交道。

  存储器是用来存储器数据的,内存有高速缓存和内存,计算机内部存储,外存就是类似U盘的外部存储。

  内存储器速度快 价格贵,容量小,断电 后内存内数据会丢失。(ROM 断电不丢失)

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  信息 CAT1022是基于微控制器系统的完整存储器和监控解决方案。采用低功耗CMOS技术,2 k位串行EEPROM存储器和具有欠压保护的系统电源监控器集成在一起。存储器接口通过400kHzI²C总线有一个输出,没有写保护输入。 如果软件或硬件故障停止或“挂起”系统,主管有一个1.6秒的看门狗定时器电路,可将系统重置为已知状态。看门狗定时器监视SDA信号。电源监视器和复位电路在上电/掉电和掉电条件下保护存储器和系统控制器。五个复位阈值电压支持5.0 V,3.3 V和3.0 V系统。如果电源电压超出容差,复位信号将变为活动状态,从而阻止系统微控制器,ASIC或外设运行。在电源电压超过复位阈值电平后,复位信号通常在200 ms后变为无效。通过有源高电平和低电平复位信号,与微控制器和其他IC的接口非常简单。此外,引脚或单独的输入,,可用作按钮手动复位功能的输入。片内,2 k位EEPROM存储器具有16字节页。此外,硬件数据保护由V 检测电路提供,可防止在V 低于复位阈值时或在上电期间V 达到复位阈值时写入存储器。可用封装包括8引脚DIP,8引脚SOIC,8引脚TSSOP,8引脚TDFN和8引脚MSOP。 TDFN封装厚度最大为...

  信息 CAT1023是基于微控制器的完整存储器和监控解决方案。采用低功耗CMOS技术,2 k位串行EEPROM存储器和具有欠压保护的系统电源监控器集成在一起。存储器接口通过400kHzI²C总线提供精确的V sense检测电路和两个开漏输出:一个(RESET)驱动器驱动为高电平,另一个驱动器()驱动为低电平>

  低于复位阈值电压。如果WP连接到逻辑高电平,则禁止写操作。监控器具有1.6秒的看门狗定时器电路,如果软件或硬件故障停止或“挂起”系统,则会将系统重置为已知状态。 CAT1023具有独立的看门狗定时器中断输入引脚WDI​​。电源监控和复位电路在上电/断电和欠压条件下保护存储器和系统控制器。五个复位阈值电压支持5.0 V,3.3 V和3.0 V系统。如果电源电压超出容差,复位信号将变为活动状态,从而阻止系统微控制器,ASIC或外设运行。在电源电压超过复位阈值电平后,复位信号通常在200 ms后变为无效。通过有源高电平和低电平复位信号,与微控制器和其他IC的接口非常简单。此外,引脚或单独的输入可用作按钮手动复位功能的输入。片上2k位EEPROM存储器具有16字节页面。此外,硬件数据保护由V 检测电路提供,可防止在V 低于复...

  信息 CAT1024是基于微控制器系统的完整存储器和监控解决方案。采用低功耗CMOS技术,2 k位串行EEPROM存储器和具有欠压保护的系统电源监控器集成在一起。存储器接口通过400kHzI²C总线提供精密的V 检测电路,但只有一个输出,没有写保护输入。电源监控器和复位电路在上电/断电期间和欠压条件下保护存储器和系统控制器。五个复位阈值电压支持5.0 V,3.3 V和3.0 V系统。如果电源电压超出容差,复位信号将变为活动状态,从而阻止系统微控制器,ASIC或外设运行。在电源电压超过复位阈值电平后,复位信号通常在200 ms后变为无效。通过有源高电平和低电平复位信号,与微控制器和其他IC的接口非常简单。此外,引脚或单独的输入可用作按钮手动复位功能的输入。 CAT1024存储器具有16字节的页面。此外,硬件数据保护由V 检测电路提供,可防止在V 低于复位阈值时或在上电期间V 达到复位阈值时写入存储器。可用封装包括8引脚DIP,8引脚SOIC,8引脚TSSOP,8引脚TDFN和8引脚MSOP。 TDFN封装厚度最大为0.8 mm。 TDFN占位面积为3 x 3 mm。 精密电源电压监控器 5.0 V,3.3 V和3.0 V系统 五个阈值电压选项 有效...

  信息 EA2M是一个2 Mb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为256Kx8位。它具有256字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选(CS)输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD输入可用于暂停与EA2M设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 OnChip ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 EA2M器件专为超低功耗而设计,适用于实时数据记录应用,助听器和其他医疗设备以及电池供电应用。 5 MHz SPI兼容 电源电压范围:1.6 V至3.6 V SPI模式(0.0)和(1.1) 256字节页写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 WLCSP 8球封装和裸片销售 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 电路图、引脚图和封装图...

  信息 ON Semiconductor串行SRAM系列包括几个集成存储器件,包括这个64 k串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为8 k字乘8位。这些器件采用先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)串行总线。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N64S830HA器件包含一个HOLD引脚,允许暂停与器件的通信。暂停时,输入转换将被忽略。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,并可提供多种标准封装产品。 2.7至3.6 V电源范围 非常低待机电流 - 低至1 uA 极低工作电流 - 低至3 mA 灵活的工作模式:字读写,页面模式(32字页),和突发模式(完整阵列) 8 K x 8位组织 简单存储器控制:单芯片选择(CS),串行输入(SI)和串行输出(SO)自定时写周期 内置写保护(CS高) 用于暂停通信的HOLD引脚 高可靠性 - 无限写入周期 符合RoHS标准的封装 - 绿色SOIC和TSSOP...

  信息 ON Semiconductor串行SRAM系列包括几个集成存储器件,包括这个64 k串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为8 k字乘8位。这些器件采用先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)串行总线。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N64S818HA器件包含一个HOLD引脚,允许暂停与器件的通信。暂停时,输入转换将被忽略。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,并可提供多种标准封装产品。 1.7至1.95 V电源范围 非常低待机电流 - 低至200 nA 极低工作电流 - 低至3 mA 简单存储器控制:单片选(CS),串行输入(SI)和串行输出(SO) 灵活的工作模式:字读写,页面模式(32字页)和突发模式(完整阵列) 8 K x 8位组织自定时写周期 内置写保护(CS高) 用于暂停通信的HOLD引脚 高可靠性 - 无限写入周期 符合RoHS标准的封装 - 绿色SOIC和TSSOP...

  信息 ON Semiconductor串行SRAM系列包括几个集成存储器件,包括这个256 kb串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为32 k字乘8位。这些器件采用先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)串行总线。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N25S830HA器件包含一个HOLD引脚,可以暂停与器件的通信。暂停时,输入转换将被忽略。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,并可提供多种标准封装产品。 2.7至3.6 V电源范围 非常低待机电流 - 典型Isb低至1 uA 极低工作电流 - 低至3 mA 简单存储器控制:单片选(CS),串行输入(SI )和串行输出(SO) 灵活的工作模式:字读写,页面模式(32字页)和突发模式(全阵列) 32 K x 8 bit组织 自定时写周期 内置写保护(CS高) 用于暂停通信的HOLD引脚...

  信息 ON Semiconductor串行SRAM系列包括几个集成存储器件,包括这个256 kb串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为32 k字乘8位。这些器件采用先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)串行总线。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N25S818HA器件包含一个HOLD引脚,可以暂停与器件的通信。暂停时,输入转换将被忽略。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,并可提供多种标准封装产品。 1.7至1.95 V电源范围 非常低待机电流 - 典型Isb低至200 nA 极低工作电流 - 低至3 mA 简单存储器控制:单片选(CS),串行输入(SI )和串行输出(SO) 灵活的工作模式:字读写,页面模式(32字页)和突发模式(全阵列) 32 K x 8 bit组织 自定时写周期 内置写保护(CS高) 用于暂停通信的HOLD引脚...

  信息安森美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括这个1Mb串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为128位K字,8位。这些器件采用北美半导体先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单片选(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)协议。在SPI模式下,单个数据输入(SI)和数据输出(SO)线与时钟(SCK)一起用于访问器件内的数据。在DUAL模式下,使用两个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO1)线,在QUAD模式下,四个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO3)线与时钟一起使用以访问存储器。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,采用8引脚TSSOP封装。 N01S830xA设备有两种不同的变体,一种是允许与设备通信暂停的HOLD版本,另一种是与电池一起使用的备用电池(BBU)版本,用于在断电时保留数据。 2.5至5.5 V - 单比特SPI访问 - DUAL位和QUAD位SPI类访问 - 字模式 - 页面模式 - 突发模式(全阵列) - 时钟频率20 MHz - 用于暂停操作的HOLD引脚 - 用于电池备份的VBAT引脚 内置写保护(CS高...

  信息安森美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括1Mb串行访问的StaticRandom存储器,内部组织为128 K字乘以8 bi t s。这些器件采用北美半导体先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单片选(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)协议。在SPI模式下,单个数据输入(SI)和数据输出(SO)线与时钟(SCK)一起用于访问器件内的数据。在DUAL模式下,使用两个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO1)线,在QUAD模式下,四个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO3)线与时钟一起使用以访问存储器。器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,采用8引脚TSSOP封装。 1.7至2.2 V - 单比特SPI接入 - DUAL-bit和QUAD位类似SPI的访问 - 字模式 - 页面模式 - 突发模式(全阵列) - 时钟频率20 MHz 内置写保护(CS高) - 无限写循环 这些设备无铅且无铅符合RoHS标准 - 绿色TSSOP 电路图、引脚图和封装图...

  LE2416RLBXA EEPROM存储器,2线线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该设备与I C内存协议兼容;因此,它最适合需要小规模可重写非易失性参数存储器的应用。 单电源电压:1.7V至3.6V(读取) 擦除/写入周期: 10 循环(页面写入) 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40到+ 85°C 接口:双线串行接口(I C总线kHz 低功耗: 待机:2μA(最大) 有效(读取):0.5mA(最大) 自动页面写入模式:16字节 读取模式:顺序读取和随机读取 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性...

  信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...

  信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...

  信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...

  信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

  信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

  信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

  信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...

  信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留

  8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...

  信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护

  - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...

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