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“万能储存器”来袭!不用再担心断电了文件没保存

来源:未知 编辑:admin 时间:2019-05-12

  大家是否经常会遇到这种情况:电脑突然死机,但重要数据都还没有储存?出门在外关键时刻想用手机却发现早已没电?据浙江在线报道,近日,北京航空航天大学已经成功制备了国内首个80纳米“万能储存器”的核心器件——国内首个80纳米自旋转移矩-磁随机存储器器件(STT-MRAM)。等这项技术应用后,以上这些麻烦事或许都可以迎刃而解了。那么,这款“万能储存器”究竟是何方神圣?他有什么神奇之处呢?

  要理解“万能存储器”的功能和特点,我们得先了解一些存储器的常识。我们都知道,存储器是电子系统的重要组成部分。千龙网介绍,目前绝大多数电子系统采用寄存、主存加硬盘的存储体系结构。与之相对应的、实现这种存储体系的技术是静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)、闪存(Flash)或硬盘(HDD)。

  据千龙网报道,具体来说,在一台电脑中,静态随机存储器对应的是CPU内的存储器,速度很快,但容量小;动态随机存储器对应的是电脑主板上的内存条;闪存或者硬盘对应的则是电脑里的固态硬盘或者机械硬盘,其特点与静态随机存储器刚好相反,它速度慢,但容量大。三者比较而言,前两者属于易失性存储器,一旦断电数据就会丢失,而后者即使断电数据也不丢失。传统的存储方式中,数据需要分级存储,同样在使用时也要分级调取。

  《北京日报》介绍,自旋转移矩-磁随机存储器(STT-MRAM)是一种接近“万能存储器”的新型存储器解决方案,极具应用潜力。它既具有接近静态存储器的纳秒级读写速度,又具有闪存级别的容量,和类似Flash的数据断电不丢失存储特性。STT-MRAM由于其数据以磁状态存储,具有天然的抗辐照、高可靠性以及几乎无限次的读写次数,已被一些国家列为最具应用前景的下一代存储器之一。

  据浙江在线报道,北京航空航天大学与中科院微电子所的联合研发团队经过科研攻关,在STT-MRAM关键工艺技术研究上也实现了重要突破,在国内率先成功制备出直径为80纳米的“万能存储器”核心器件,该器件性能良好,相关关键参数达到国际领先水平,未来将有望应用于大型数据中心,降低功耗,还可用于各类移动设备,提高待机时间。(张茜)

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